IGBT модули SEMIX

номинальное напряжение 1200В (перейти к 600 В, 1700 В)

Корпус размер S2 и S3	Корпус размер S4	Как соединять Semix с драйвером

Модули SEMiX являются самыми малогабаритными для своего диапазона мощности — высота их профиля составляет всего 17 мм. Внутренняя топология модулей обеспечивает минимальное значение распределенной индуктивности и распределенного сопротивления проводников, что обеспечивает хорошие динамические характеристики и, в сочетании с низким напряжением насыщения транзисторов, минимальные потери проводимости. На одной стороне модуля расположены выводы для подключения силовой шины питания, что позволяет использовать ламинированные или многослойные шины простейшей конструкции с минимальной индуктивностью. На противоположной стороне находится сдвоенный АС-терминал, являющийся выходом полумоста. В результате звено постоянного тока и силовые выходы оказываются разнесенными, при этом конструкция преобразователя получается максимально простой и достигается хорошая изоляция цепей постоянного и переменного тока. Но самое главное, что при такой конструкции обеспечивается беспрепятственный доступ к сигнальным выводам силового модуля и драйвер может быть установлен непосредственно на корпусе модуля максимально близко к цепям управления.

Таблица 1. Основные характеристики IGBT модулей SEMIX на 1200 В .

Тип IGBT модуля	IC@TC=25C	ICnom	VCEsat	EON	EOFF	Rthjc	IF@TC=25C	VF	Err	Rthjc-D	Rthjs	Корпус	Габариты
Технология TRENCH 4 IGBT (НОВИНКА)
IGBT модуль SEMIX 151GB12E4s	232	150	1,8	16,6	18,4	0,19	189	2,1	8,9	0,31	0,075	1s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 202GB12E4s	314	200	1,8	22	27,9	0,14	229	2,2	12	0,26	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 302GB12E4s	463	300	1,8	30	44	0,096	356	2,1	19	0,17	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 303GB12E4s	466	300	1,8	30	41,2	0,095	338	2,2	17,7	0,18	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 404GB12E4s	618	400	1,8	27	59,7	0,072	440	2,2	26,4	0,14	0,03	4s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 453GB12E4s	683	450	1,8	45	66,5	0,065	544	2,1	28	0,11	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 604GB12E4s	916	600	1,8	35	110,4	0,049	707	2,1	44	0,086	0,03	4s	смотреть
													смотреть
IGBT модуль SEMIX 71GD12E4s	115	75	1,85	7,5	9	0,38	97	2,2	5,3	0,58	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 101GD12E4s	160	100	1,8	10,8	13,3	0,27	121	2,2	6,5	0,48	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 151GD12E4s	232	150	1,8	14,1	19,2	0,19	189	2,1	8,9	0,31	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 223GD12E4s	330	225	1,8	25	25	0,13	270	2,2	16,5	0,20	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 303GD12E4s	466	300	1,8	29,4	41,8	0,095	338	2,2	22,9	0,18	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 453GD12E4s	683	450	1,8	52	67,8	0,065	544	2,1	28	0,11	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 151GAL12E4s	232	150	1,8	16,6	18,4	0,19	189	2,1	8,9	0,31	0,075	1s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 302GAL12E4s	463	300	1,8	30	44	0,096	356	2,1	19	0,17	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 453GAL12E4s	683	450	1,8	45	66,5	0,065	544	2,1	28	0,11	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 151GAR12E4s	232	150	1,8	16,6	18,4	0,19	189	2,1	8,9	0,31	0,075	1s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 302GAR12E4s	463	300	1,8	30	44	0,096	356	2,1	19	0,17	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 453GAR12E4s	683	450	1,8	45	66,5	0,065	544	2,1	28	0,11	0,04	3s	смотреть
Тип IGBT модуля	IC@TC=25C	ICnom	VCEsat	EON	EOFF	Rthjc	IF@TC=25C	VF	Err	Rthjc-D	Rthjs	Корпус	Габариты
Технология TRENCH 3 IGBT (малое напряжение VCEsat )
IGBT модуль SEMIX 252GB126HDs	242	150	1,7	20	21	0,15	228	1,6	18	0,24	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 302GB126HDs	311	200	1,7	30	26	0,12	292	1,6	22,5	0,19	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 353GB126HDs	364	225	1,7	26,5	32,5	0,1	329	1,6	29	0,17	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 452GB126HDs	455	300	1,7	35	45	0,083	394	1,6	33	0,15	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 503GB126HDs	465	300	1,7	28	44	0,08	431	1,6	32,5	0,13	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 604GB126HDs	590	400	1,7	36	60	0,065	533	1,6	46	0,11	0,03	4s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 703GB126HDs	642	450	1,7	32	68	0,061	561	1,6	60	0,11	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 904GB126HDs	821	600	1,7	60	88	0,05	752	1,6	75	0,081	0,03	4s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 101GD126HDs	129	75	1,7	10	11	0,27	117	1,6	9	0,46	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 151GD126HDs	168	100	1,7	12	14	0,21	152	1,6	11,5	0,36	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 251GD126HDs	242	150	1,7	19	22	0,15	207	1,6	14,5	0,28	0,04	13	смотреть
IGBT модуль SEMIX 353GD126HDc	364	225	1,7	26,5	32,5	0,1	329	1,6	29	0,17	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 503GD126HDc	466	300	1,7	28	44	0,08	412	1,6	32,5	0,14	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 703GD126HDc	642	450	1,7	32	68	0,061	561	1,6	60	0,11	0,014	33c	смотреть
IGBT модуль SEMIX 452GAL126HDs	455	300	1,7	35	45	0,083	394	1,6	33	0,15	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 703GAL126HDs	642	450	1,7	32	68	0,061	561	1,6	60	0,11	0,04	3s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 452GAR126HDs	455	300	1,7	35	45	0,083	394	1,6	33	0,15	0,045	2s	смотреть
IGBT модуль SEMIX 703GAR126HDs	642	450	1,7	32	68	0,061	561	1,6	60	0,11	0,04	3s	смотреть

Все модули SEMIX типа Т4 сняты с производства и заменены на модули с расширением Е4 :
-основываясь на результатах измерений и информации, предоставляемой потребителями продукции SEMIKRON, для схем средних и больших мощностей признано целесообразным применение среднескоростной версии кристаллов IGBT ( E4). Основной причиной этого является уменьшение перенапряжений во время переключения высоких значений токов (по сравнению с номинальными токами) и лучшего баланса токов при подключении чипов в параллель;
- хотя это позволяет использовать более высокое напряжени шины постоянного тока (Udc), однако это приводит в свою очередь к увеличению потерь на переключение.
Новые IGBT серии Е4 отличаются более плавной характеристикой переключения и пониженными  статическими потерями, что позволяет повысить эффективность преобразования.

Интеллектуальный силовой модуль (см. фото в начале статьи), составленный из комбинации блоков SKYPER + плата адаптера + SEMiX, уже, востребован рынком. Основные преимущества данной сборки по сравнению с предлагаемыми в настоящее время интеллектуальными силовыми модулями:
• полный набор защитных и сервисных функций, обеспечиваемый драйвером SKYPER, что выгодно отличает его от большинства интеллектуальных силовых модулей, предлагаемых на рынке;
• высокие потребительские свойства SKYPER, подтвержденные многолетним опытом эксплуатации драйвера SKHI 22, на ядре которого он разработан;
• отличные электрические и тепловые характеристики модулей SEMiX, получаемые за счет применения новейших кристаллов E4 IGBT-транзисторов и оптимальной конструкции модуля;
• высокая плотность тока и малые габариты преобразовательного устройства, построенного на основе описанных узлов;
• конкурентоспособные цены.

Снятые с производства IGBT SPT (Сбалансированные потери)
SEMiX 202GB128Ds	200	100	1,9	19	0,15	2s
SEMiX 302GB128Ds	284	150	1,9	33	0,11	2s
SEMiX 352GB128Ds	377	200	1,9	41	0,083	2s
SEMiX 403GB128Ds	420	225	1,9	43	0,075	3s
SEMiX 553GB128Ds	533	300	1,9	60	0,061	3s
SEMiX 754GB128Ds	680	400	1,9	92	0,05	4s
SEMiX 101GD128Ds	104	50	1,9	10,7	0,28	13
SEMiX 151GD128Ds	154	75	1,9	15,8	0,19	13
SEMiX 201GD128Ds	200	100	1,9	21	0,15	13
SEMiX 403GD128Dc	420	225	1,9	43	0,075	33c
SEMiX 553GD128Dc	533	300	1,9	60	0,061	33c
SEMiX 352GAL128Ds	377	200	1,9	41	0,083	2s
SEMiX 553GAL128Ds	533	300	1,9	60	0,061	3s
SEMiX 352GAR128Ds	377	200	1,9	41	0,083	2s
SEMiX 553GAR128Ds	533	300	1,9	60	0,061	3s

Список обозначений:
- I_C@T_C=25C -длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов;
- I_Cnom -длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса;
- V_CEsat -напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- E_ON -потери энергии при включении;
- E_OFF -потери энергии на выключение;
- R_thjc -тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT);
- I_F@T_C=25C -прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов;
- V_F - (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде);
- E_rr -потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода);
- R_thjc-D -тепловое сопротивление переход-корпус (диод);
- R_thjs -тепловое сопротивление модуля (IGBT + диод);

Discontinued types item
number type designation
27190501 SEMiX151GB12T4s
27150511 SEMiX202GB12T4s
27150521 SEMiX302GB12T4s
27160501 SEMiX303GB12T4s
27170501 SEMiX404GB12T4s
27160511 SEMiX453GB12T4s
27170511 SEMiX604GB12T4s
27180506 SEMiX71GD12T4s
27180516 SEMiX101GD12T4s
27180526 SEMiX151GD12T4s
27110506 SEMiX303GD12T4c
27115016 SEMiX453GD12T4c
27190502 SEMiX151GAL12T4s
27150522 SEMiX302GAL12T4s
27160512 SEMiX453GAL12T4s
27190503 SEMiX151GAR12T4s
27150523 SEMiX302GAR12T4s
27160513 SEMiX453GAR12T4s