Модули 6-го поколения SEMIPACK : тепловые сопротивления

Изменение в DataSheets величин r_T, R_thjc and Z_th

SEMIKRON объявил об изменении некоторых параметров диодных, диодно-тиристорных и тиристорных модулей в корпусах типа SEMIPACK1 поколения G6. Эти изменения касаются паразитного омического сопротивления r_T, теплового сопротивления "переход - корпус" R_thjc и полного теплового сопротивления Z_th. Уменьшение этих величин стало возможным в результате достижения распределенных параметров после увеличения производства продукции с февраля 2009г. Также уменьшено отклонение между типичными и максимальными значениями указанных параметров, используемых для проведения тепловых расчетов. В связи с этим обновлены данные , по которым строятся кривые зависимостей полного переходного теплового сопротивления Z_thjc от времени воздействия импульса. Это изменение является очень важным для всех производителей, кто использует приборы в корпусах типа SEMIPACK 1 при изготовлении Устройств плавного пуска и регуляторов напряжения..

На Рис.1 приведен график зависимостей тепловых сопротивлений Z_thjc от времени воздействия импульсa для тиристорного модуля SKKT106/  G6 черным показана кривая, построенная по имевшимся DataSheet, красным -по вновь полученным данным.

Каталог с измененными данными будет доступен на сайте производителя.

Кроме этого, изменения будут внесены в новую версию программы теплового моделирования SemiSel.