GeneSiC Semiconductor оголосила про надходження в продаж сімейства польовиків з низьким опором з номінальними напругами 1700 В і 1200 В / SiC Junction транзисторів / в корпусах TO-247.
Використання SiC Junction транзистори за високої напруги, високої частоти, високої температури і низьким опором, здатне збільшить ефективність перетворення і зменшити розмір / вагу / об'єм / пристроїв силової електроніки, що вимагають більш високих напруг шини. Ці пристрої призначені для для використання в широкому спектрі додатків, включаючи мікромережі постійного струму , зарядні пристрої високої швидкодії для транспортних засібв , сервери, телекомунікаційні та мережевві джерела живлення, Джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори, системи вітроенергетики та промислові системи управління двигуноми.
Коротко про параметри:
- The 1700-V SiC junction transistors released include: 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247); Current Gain (hFE) >90; Tjmax = 175 degrees C; and Turn On/Off, Rise/Fall Times <30 nanoseconds typical;
- The 1200-V SiC junction transistors released include: 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247); Current Gain (hFE) >90; Tjmax = 175 degrees C; and Turn On/Off, Rise/Fall Times <30 nanoseconds typical.
"Ці поліпшені SJT-транзистори задтні запропонувати набагато більш високі значення струмів (> 100), відрізняються високою стабільністю і ефективністю в порівнянні з іншими ключовими елементами SiC. SJTs GeneSiC пропонують вкрай низькі втрати провідності на номінальних струмах при низьких втратах при відключенні силових ланцюгів. Використання транзисторнів продуктів GeneSiC як унікальних пристроїв, та іноваційні підходи, допомагають розробникам досягти більшої надійності технічних рішень , "сказав д-р Ранбир Сингх, президент GeneSiC Semiconductor.
SiCТранзистори (SJT), пропоновані GeneSiC демонструють надшвидкі можливісті перемикання (аналогічну SiC МОП), квадратну зону безпечної роботи (RBSOA), а також залежні від температури втрати перехідних енергії і часу перемикання. Ці ключі мають безоксидний затвор, є нормально-закритими /прим.пер - хто забув, були такі прилади, як SiT-транзистори, яким пророркували видатне майбутнє, що мали нормально-відкритий канал, то де вони зараз? / а також, мають позитивний температурний коефіцієнт прямого опору у відкритому стані, і здатні до використання у комерційних галузях, на відміну від інших комутаторів SiC /прим. пер - мабуть маються на увазі чисто мілітарні застосування/.
Унікальні переваги СДТ у порівнянні з іншими SiC-транзисторами вимикачі є висока довгострокова надійність, та здатність витримувіати короткотермінові , > 10 мкс, короткі замикання, що перевищує аналогічні показники для лавинних приладів.
Джерело : http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=31007