Все для силовой электроники и электротехники
03057, Киев-57, пр. Победы, 56, оф.335. Контактный телефон: (044) 458-47-66
Новости

1200 Вольт

IGBT модули SEMIKRON SEMITRANS

номинальное напряжение 1200 В 00 В, 1700 В)

Список обозначений:
- IC@TC=25C -длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов;
- ICnom -длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса;
- VCEsat -напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- EON -потери энергии при включении;
- EOFF -потери энергии на выключение;
- Rthjc -тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT);
- IF@TC=25C -прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов;
- VF - (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде);
- Err -потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода);
- Rthjc-D -тепловое сопротивление переход-корпус (диод);
- Rthjs -тепловое сопротивление модуля (IGBT + диод);

Semitrans 2 case skm igbt semikron корпус габарит 3 корпус семитранс 3 semitrans 3 semikron case semitrans 4 semikron корпус габьарита
Корпус S2 SEMITRANS 2 Корпус S3 SEMITRANS 3 Корпус S4 SEMITRANS 4

Таблица 1. Основные характеристики IGBT модулей на 1200 В Semitrans Semikron.

Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
 Технология Fast TRENCH 4 IGBT (НОВИНКА)
IGBT модуль SKM 50GB12T4 81 50 1,85 5,5 4,5 0,53 65 2,25 3,8 0,84 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 75GB12T4 115 75 1,85 11,0 6,9 0,38 95 2,2 4,7 0,58 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GB12T4 160 100 1,8 15,0 10,2 0,27 120 2,2 5,9 0,48 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GB12T4G 154 100 1,85 16,1 8,6 0,29 118 2,22 6 0,48 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 150GB12T4 232 150 1,8 19,2 15,8 0,19 190 2,15 13 0,31 0,05 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 150GB12T4G 223 150 1,85 18,7 14,1 0,20 183 2,17 13 0,31 0,05 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GB12T4 314 200 1,8 21,0 20,2 0,14 230 2,2 9 0,26 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB12T4 422 300 1,85 27 29 0,11 350 2,2 22,5 0,17 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB12T4 618 400 1,8 33 42 0,072 440 2,2 33 0,14 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 150GAL12T4 232 150 1,8 19,2 15,8 0,19 190 2,15 11,3 0,31 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL12T4 314 200 1,8 21,0 20,2 0,14 230 2,2 13 0,26 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GAL12T4 422 300 1,85 27 29 0,11 350 2,2 22,2 0,17 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAL12T4 618 400 1,8 33 42 0,07 440 2,2 33 0,14 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 150GAR12T4 232 150 1,8 19,2 15,8 0,19 190 2,15 11,1 0,31 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAR12T4 618 400 1,8 33 42 0,07 440 2,2 33 0,14 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GA12T4 422 300 1,85 23,4 26 0,11 350 2,2 22,5 0,17 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 400GA12T4 618 400 1,8 27,7 44,3 0,07 440 2,2 30 0,14 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 600GA12T4 916 600 1,8 74 63 0,05 705 2,15 45 0,09 0,04 S4 смотреть
 
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
 Технология TRENCH  IGBT 4(НОВИНКА)
IGBT модуль SKM 200GB12E4 314 200 1,8 21 27 0,14 229 2,2 13 0,26 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB12E4 422 300 1,85 27 39 0,11 353 2,17 23 0,17 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB12E4 618 400 1,8 33 56 0,072 440 2,2 30,5 0,14 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL12E4 314 200 1,8 21 27 0,14 229 2,2 13 0,26 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GAL12E4 422 300 1,85 27 39 0,11 353 2,17 23 0,17 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 4000GAL12E4 618 400 1,8 33 56 0,072 440 2,2 30,5 0,14 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAR12E4 618 400 1,8 33 56 0,072 440 2,2 30,5 0,14 0,038 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GA12E4 422 300 1,85 23 35 0,11 353 2,17 23 0,17 0,038 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 400GA12E4 618 400 1,8 28 59 0,072 440 2,2 37 0,14 0,038 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 600GA12E4 916 600 1,8 74 84 0,049 707 2,14 38 0,086 0,038 S4 смотреть
 
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
Технология TRENCH 3 IGBT (малое напряжение VCEsat )
IGBT модуль SKM 195GB126D 220 150 1,7 16 24,5 0,16 170 2,0 5,8 0,32 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GB126D 260 150 1,7 18 - 0,13 200 1,6 - 0,3 0,04 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB126D 310 200 1,7 21 33 0,12 250 1,6 18 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB126D 470 300 1,7 29 48 0,08 400 1,6 27 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 600GB126D 660 400 1,7 39 64 0,06 490 1,6 41 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 195GAL126D 220 150 1,7 16 24,5 0,16 170 2,0 5,8 0,32 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL126D 260 150 1,7 18 - 0,13 200 1,6 - 0,3 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAL126D 470 300 1,7 29 48 0,08 400 1,6 27 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 600GAL126D 660 400 1,7 39 64 0,06 490 1,6 41 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 600GA126D 660 400 1,7 39 64 0,06 490 1,6 - 0,12 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 800GA126D 960 600 1,7 65 95 0,04 680 1,6 59 0,09 0,04 S4 смотреть
 
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
Технология NPT UltraFast IGBT (ультрабыстрые )
IGBT модуль SKM 100GB125DN 100 75 3,3 8,0 3,5 0,18 95 2 - 0,5 0,05 S2N смотреть
IGBT модуль SKM 200GB125D 200 150 3,3 14 - 0,09 200 2 - 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB125D 300 200 3,3 16 - 0,08 260 2 - 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB125D 400 300 3,3 17 18 0,05 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL125D 200 150 3,3 14 - 0,09 200 2 - 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAL125D 400 300 3,3 17 18 0,05 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAR125D 200 150 3,3 14 - 0,09 200 2 - 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAR125D 400 300 3,3 17 18 0,05 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 600GA125D 580 400 3,3 30 - 0,04 500 2 - 0,09 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 800GA125D 760 600 3,2 88 48 0,03 720 2,3 28 0,07 0,04 S4 смотреть
 
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
Технология NPT IGBT (стандартные )
IGBT модуль SKM 50GB123D 50 50 2,5 7 4,5 0,4 50 2 2 0,7 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 75GB123D 75 50 2,5 8 5 0,27 75 2 - 0,6 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GB123D 100 75 2,5 10 8 0,18 95 2 - 0,5 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 145GB123D 145 100 2,5 16 12 0,15 130 2 - 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 150GB123D 150 100 2,5 13 11 0,15 150 2 - 0,3 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GB123D 200 150 2,5 24 17 0,09 200 2 6,6 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB123D 300 200 2,5 28 26 0,08 260 2 - 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB123D 400 300 2,5 38 40 0,05 390 2 - 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 22GD123D 25 15 2,5 2 1,4 0,86 25 2 0,95 1,5 0,05 S6 смотреть
IGBT модуль SKM 40GD123D 40 25 2,5 3,8 2,3 0,56 45 2 1,35 1 0,05 S6 смотреть
IGBT модуль SKM 75GD123D 75 50 2,5 8 5 0,32 75 2 2,2 0,6 0,05 S6 смотреть
IGBT модуль SKM 40GDL123D 40 25 2,5 3,8 2,3 0,56 45 2 1,35 1 0,05 S6 смотреть
IGBT модуль SKM 75GD123DL 75 50 2,5 8 5 0,32 75 2 2,2 0,6 0,05 S6 смотреть
IGBT модуль SKM 75GDL123D 75 50 2,5 8 5 0,32 75 2 2,2 0,6 0,05 S6 смотреть
 
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
IGBT модуль SKM 50GAL123D 50 50 2,5 7 4,5 0,4 50 2 2 0,7 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 75GAL123D 75 50 2,5 8 5 0,27 75 2 - 0,6 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GAL123D 100 75 2,5 10 8 0,18 95 2 - 0,5 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 145GAL123D 145 100 2,5 16 12 0,15 130 2 - 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 150GAL123D 150 100 2,5 13 11 0,15 150 2 - 0,3 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL123D 200 150 2,5 24 17 0,09 200 2 6,6 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GAL123D 300 200 2,5 28 26 0,08 260 2 - 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 75GAR123D 75 50 2,5 8 5 0,27 75 2 - 0,6 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GAR123D 100 75 2,5 10 8 0,18 95 2 - 0,5 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAR123D 200 150 2,5 24 17 0,09 200 2 6,6 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GAR123D 300 200 2,5 28 26 0,08 260 2 - 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GA123D 300 200 2,5 26 22 0,08 300 2 - 0,15 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 400GA123D 400 300 2,5 38 40 0,04 390 2 - 0,12 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 500GA123D 500 400 2,5 45 - 0,04 500 2 - 0,09 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 500GA123DS 500 400 2,5 45 - 0,04 500 2 - 0,09 0,04 S4S смотреть
 

Технология IGBT TRENCH 4

Усовершенствованная технология Trench 4 поколения, разработанная Infineon, позволяет расширить область рабочих частот, улучшить электрические параметры силовых ключей и одновременно уменьшить размер чипов. Доработка прежней Trench технологии заключается в оптимизации вертикальной структуры чипа, позволившей существенно снизить потери переключения. С появлением модулей серии Т4 название Trench IGBT перестало быть синонимом низкочастотных ключей. Теперь наравне с SPT+ эти элементы претендуют на звание универсальных, широкополосных.

Размер чипов IGBT  Т4 рассчитан из условия достижения оптимального соотношения между стоимо-стью, электрическими и тепловыми характеристиками. Следует отметить, что неизбежной платой за уменьшение активной площади полупроводников яв-ляется повышенное тепловое сопротивление и худшая стойкость к режиму короткого замыкания. Для преодоления проблем, связанных с повышением плотности мощности, необходимо снижать уровень потерь.
При переходе от второго к третьему поколению IGBT усилия производителей были направлены на уменьшение потерь проводимости (напряжения насыщения VCEsat). Основной задачей, поставленной при разработке Trench 4 IGBT, стало улучшение динами-ческих характеристик и обеспечение более плавного характера переключения.
Кроме того, для повышения перегрузочной способности диапазон рабочих температур должен быть расширен до величины не менее Tjmax = 175 C, такое требование выдвигаются в первую очередь производителями транспортных приводов. Если учесть, что стандартным значением «теплового запаса» для пиковых перегрузок считается 25 C, то для кристаллов 4 поколения номинальной долговременной рабочей температурой является 150 C. В пересчете на выход-ную мощность 3-фазного инвертора это означает прибавку не менее 20% по сравнению с модулями, у ко-торых величина Tjmax ограничена на уровне 125 C.
Кристаллы IGBT4 созданы на основе Trench технологии 3 поколения, которая используется при производстве модулей SEMIKRON 066, 126 и 176 серий с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В соответственно. Эти компоненты отличаются очень хорошими характеристиками проводимости: напряжение насыщения VCEsat модулей 126 серии при номинальном токе и температуре 25С не превышает 1,7 В, для компонентов 066 серии VCEsat = 1,45 В. Однако уровень динамических потерь у них достаточно высок, и в ре-жиме «жесткой коммутации» применение ключей данного типа на частотах выше 5…7 кГц нецелесообразно.
Существенное улучшение характеристик было достигнуто благодаря оптимизации основных элемен-тов вертикальной структуры чипа: n- – базы, n-Field Stop слоя, предназначенного для повышения напряжения пробоя, и эмиттера. В результате модернизации Trench технологии удалось снизить суммарное значение потерь в широком диапазоне частот и обеспечить более плавный характер переключения. Не менее важным достижением является увеличение допусти-мой рабочей температуры Tjmax кристаллов с 150°C до 175°C. Благодаря этому применение нового поколения модулей IGBT позволяет увеличить запас по перегрузке в динамических режимах и повысить надежность работы преобразователей.

Серии 123 и 126 не рекомендованы производителем для новых разработок!

Переход к другим типам модулей SEMIX, SKIIP, SEMITOP
Полные DATASHEET доступны на сайте производителя SEMIKRON.

Снятая с производства серия 128

Технология SPT IGBT (универсальные )
Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
IGBT модуль SKM 75GB128D 100 50 1,9 6 8 0,3 75 2 2,6 0,6 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GB128D 145 75 1,9 9 7,5 0,21 95 2 3,9 0,5 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 145GB128D 190 100 1,9 12 10 0,16 130 2 7 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 150GB128D 200 100 1,9 10 9 0,15 150 2 5,5 0,3 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 200GB128D 300 150 1,9 18 15 0,1 190 2 8 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GB128D 370 200 1,9 22 22 0,08 260 2 11 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB128D 565 300 1,9 32 31 0,06 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 145GAL128D 190 100 1,9 12 10 0,16 130 2 7 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 300GAL128D 370 200 1,9 22 22 0,08 260 2 11 0,18 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAL128D 565 300 1,9 32 31 0,06 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 145GAR128D 190 100 1,9 12 10 0,16 130 2 7 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAR128D 565 300 1,9 32 31 0,06 390 2 16 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 300GA128D 370 200 1,9 22 21 0,08 300 2 16,5 0,15 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 400GA128D 565 300 1,9 31 33 0,06 390 2 20 0,12 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 500GA128D 700 400 1,9 37 48 0,05 530 2 29 0,09 0,04 S4 смотреть

Немного о технологии IGBT SPT

Чипы SPT содержат дополнительный буферный n+ слой, расположенный между подложкой и p+ областью коллектора. Буферный слой повышает стойкость транзистора к пробою, опасность которого возрастает из-за уменьшения толщины подложки. Благодаря меньшей толщине чипа у SPT транзисторов снижены потери проводимости.
Модули SPT имеют оптимизированные характеристики выключения: линейное нарастание напряжения при выключении, более плавный переходный процесс, меньший уровень перенапряжения, сокращенный «хвост» тока. Энергия переключения SPT-IGBT, как правило, ниже, чем у модулей, выполненных по NPT технологии. Площадь кристалла и тепловые характеристики обоих типов IGBT соизмеримы.

Разработка сайта - компания Дельта Софт.