Все для силовой электроники и электротехники
03057, Киев-57, пр. Победы, 56, оф.335. Контактный телефон: (044) 458-47-66
Новости

1700 Вольт

IGBT модули SEMIKRON SEMITRANS(TM)

номинальное напряжение 1700 В (перейти к 00 В, 1200 В)

Список обозначений:
- IC@TC=25C -длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов;
- ICnom -длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса;
- VCEsat -напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- EON -потери энергии при включении;
- EOFF -потери энергии на выключение;
- Rthjc -тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT);
- IF@TC=25C -прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов;
- VF - (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде);
- Err -потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода);
- Rthjc-D -тепловое сопротивление переход-корпус (диод);
- Rthjs -тепловое сопротивление модуля (IGBT + диод);

Модуль SKM SEmitrans 2 Semikron фото 250 Модуль SKM IGBT Semitrans3 SEmikron фото ш250 Модуль SKM IGBT Semitrans4 semikron фотка ш250
Корпус S2 SEMITRANS 2 Корпус S3 SEMITRANS 3 Корпус S4 SEMITRANS 4

Таблица 1. Основные характеристики IGBT модулей  на 1700 В Semitrans Semikron.

Тип IGBT модуля IC@TC=25C ICnom VCEsat EON EOFF Rthjc IF@TC=25C VF Err Rthjc-D Rthjs Корпус Габариты
Технология TRENCH 3 IGBT (малое напряжение VCEsat )
IGBT модуль SKM 75GB176D 80 50 2 25 18 0,38 80 1,7 14,5 0,55 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 100GB176D 125 75 2 44 28,5 0,24 100 1,6 21,4 0,45 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 145GB176D 160 100 2 60 38 0,19 140 1,6 27,5 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GB176D 260 150 2 93 58 0,12 210 1,7 31 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GB176D 430 300 2 170 118 0,08 440 1,7 78 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 145GAL176D 160 100 2 60 38 0,19 140 1,6 27,5 0,36 0,05 S2 смотреть
IGBT модуль SKM 200GAL176D 260 150 2 93 58 0,12 210 1,7 31 0,25 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 400GAL176D 430 300 2 170 118 0,08 440 1,7 78 0,12 0,04 S3 смотреть
IGBT модуль SKM 600GA176D 660 400 2 255 155 0,04 600 1,6 102 0,09 0,04 S4 смотреть
IGBT модуль SKM 800GA176D 830 600 2 335 245 0,04 630 1,6 155 0,09 0,04 S4 смотреть

Технология IGBT TRENCH 3 и обратные диоды

В модулях SEMITRANS® для наращивания тока используется параллельное соединение чипов, в одном силовом ключе в параллель
может быть включено до 8 кристаллов IGBT и диодов. Выравнивание токов IGBT в статических режимах происходит ав-
томатически благодаря положительному температурному коэффициенту напряжения насыщения. Симметричная работа параллельно
включенных диодов, имеющих отрицательный тепловой коэффициент прямого падения напряжения Vf, как правило, достигается с по-
мощью подбора чипов по этому параметру.
Для решения данной проблемы в модулях Trench 3 и 4 поколения применяются кристаллы CAL HD и CAL4, имеющие положительный
коэффициент Vf в области номинальных и предельных токов. В результате этого чипы диодов, установленных внутри модуля, ис-
пользуются при максимальной токовой нагрузке. При соединении в параллель модулей IGBT семейства SEMITRANS рекомендуемый
коэффициент снижения номинального тока составляет 90–95%.
Технология Trench IGBT 3 поколения, используемая при производстве модулей SEMIKRON
126 и 176 серий, обеспечивает сверхнизкие статические потери. До недавнего времени характеристики проводимости этих ключей счита-
лись одними из лучших в своем классе, а сами модули были предназначены для использования на частотах переключения до 5–7 кГц
На практике можно выделить 3 основных типа устройств, требующих оптимального соотношения определенных параметров:
1. низкочастотные преобразователи (ветрогенераторы, конверторы для энергосистем,использующих энергию солнца, некото-
рые типы источников бесперебойного питания) — для этих применений главными являются потери проводимости;
2. импульсные преобразователи частоты (привода, некоторые типы источников бесперебойного питания) — для этих при-
менений требуются низкие потери проводимости и переключения одновременно;
3. высокочастотные устройства (системы индукционного нагрева, сварочное оборудование, резонансные инверторы) — для
этих применений определяющими являются потери переключения.

Частотные диапазоны для различных серий SKM IGBT модулей semikron
На рис. 1 показаны частотные диапазоны для различных модификаций модулей SEMITRANS.
Как видно из таблицы и графиков, Trench FS-IGBT имеют минимальные потери проводимости, UltraFast NPT-IGBT — минималь-
ные потери переключения, а SPT-IGBT — это компромиссный тип транзисторов с оптимальным сочетанием статических и динамических характеристик. Все приведенные
классы транзисторов характеризуются положительным температурным коэффициентом напряжения насыщения, что позволяет
использовать их параллельное соединение.
Большое влияние на суммарное значение потерь в импульсных усилителях, особенно при индуктивном характере нагрузки, име-
ют потери, создаваемые антипараллельными диодами. Для снижения уровня этих потерь SEMIKRON разработал серию диодов,
названных CAL (Controlled Axial Lifetime) и CAL HD (High Density). При разработке технологии CAL особое внимание уделялось
обеспечению хороших характеристик проводимости, низких динамических потерь и повышению плавности кривой обратного
восстановления dIrr/dt. Последняя характеристика влияет на потери выключения, уровень переходных перенапряжений и уро-
вень EMI.
Основной особенностью диодов CAL является наличие т. н. центра рекомбинации, позволяющего регулировать время жизни
носителей и влияющего таким образом на время обратного восстановления и плавность кривой восстановления. Центр реком-
бинации индуцируется за счет облучения кристалла электронами высокой энергии и в процессе ионной имплантации. По пара-
метрам проводимости и характеристикам восстановления диоды CAL являются одними из лучших в своем классе.
Основное преимущество диодов CAL HD по сравнению с диодами предыдущего поколения — низкое прямое падение напряже-
ния. Падение напряжения снижено более чем на 700 мВ при токе 100 А. Поскольку потери на диодах вносят значительный вклад в об-
щие потери проводимости IGBT-модуля, применение диодов CAL позволяет повысить суммарную эффективность модуля.


Переход к другим типам модулей SEMIX, SKIIP, SEMITOP
Полные DATASHEET доступны на сайте производителя SEMIKRON.

 

Разработка сайта - компания Дельта Софт.